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熱銷型號

圖片僅供參考，請參考產(chǎn)品描述

  • BSZ12DN20NS3 G

  • 制造商：Infineon Technologies
  • 批號：19+
  • 描述：MOSFET N-Ch 200V 11.3A TDSON-8 OptiMOS 3
  • PDF下載：pdf下載
  • 庫存數(shù)量：2000+

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詳細參數(shù)

  • 制造商:Infineon
  • 產(chǎn)品種類:MOSFET
  • RoHS:是
  • 技術(shù):Si
  • 安裝風格:SMD/SMT
  • 封裝 / 箱體:TSDSON-8
  • 通道數(shù)量:1 Channel
  • 晶體管極性:N-Channel
  • Vds-漏源極擊穿電壓:200 V
  • Id-連續(xù)漏極電流:11.3 A
  • Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:108 mOhms
  • Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
  • 最小工作溫度:- 55 C
  • 最大工作溫度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:50 W
  • 配置:Single
  • 封裝:Cut Tape
  • 封裝:MouseReel
  • 封裝:Reel
  • 高度:1.1 mm
  • 長度:3.3 mm
  • 晶體管類型:1 N-Channel
  • 寬度:3.3 mm
  • 商標:Infineon Technologies
  • 正向跨導(dǎo) - 最小值:12 S, 6 S
  • 產(chǎn)品類型:MOSFET
  • 工廠包裝數(shù)量:5000
  • 子類別:MOSFETs
  • 零件號別名:BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN2NS3GXT SP000781784
  • 單位重量:100 mg

其它信息

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