1.Vishay宣布重組計(jì)劃，關(guān)閉三家制造工廠并裁員
據(jù)快科技消息，美國(guó)分立半導(dǎo)體和無(wú)源元件制造商Vishay Intertechnology（威世科技）宣布了重組計(jì)劃，包括關(guān)閉三家制造工廠和裁員約800人。根據(jù)Vishay的官方聲明，被關(guān)閉的工廠包括位于中國(guó)上海的二極管封裝工廠，以及位于德國(guó)菲希特爾貝格和美國(guó)威斯康星州密爾沃基的兩家電阻器工廠。
這些工廠的關(guān)閉預(yù)計(jì)2026年底完成，生產(chǎn)轉(zhuǎn)移將于2025年第四季度開始。Vishay預(yù)計(jì)，此次重組將產(chǎn)生3800萬(wàn)至4200萬(wàn)美元的稅前現(xiàn)金費(fèi)用，主要是由于遣散費(fèi)，其中大部分將在2024年第三季度發(fā)生。Vishay預(yù)計(jì)該計(jì)劃全面實(shí)施后，年度成本節(jié)省至少2300萬(wàn)美元，立即節(jié)省約900萬(wàn)美元，從2025年第一季度開始再節(jié)省1200萬(wàn)美元。
2.美光2024財(cái)年?duì)I收251.11億美元，大幅增長(zhǎng)超6成
存儲(chǔ)器原廠美光最新公布2024財(cái)年第四財(cái)季（截至8月29日）和全財(cái)年財(cái)報(bào)。
第四財(cái)季按照GAAP計(jì)算，美光營(yíng)收77.5億美元，上財(cái)季為68.1億美元，去年同期為40.1億美元；毛利率35.3%，上一季度為26.9%，去年同期虧損。凈利潤(rùn)8.87億美元，上一季度為3.32億美元，去年同期虧損14.3億美元。
全財(cái)年按照GAAP計(jì)算，美光營(yíng)收251.1億美元，前一財(cái)年為155.4億美元；毛利率22.4 %，前一財(cái)年虧損為負(fù)；凈利潤(rùn)7.78億美元，前一財(cái)年凈虧損58.33億美元。
來(lái)源：Micron
美光科技總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示，由于強(qiáng)勁的AI需求推動(dòng)了公司數(shù)據(jù)中心DRAM和行業(yè)領(lǐng)先的HBM強(qiáng)勁增長(zhǎng)，美光在第四財(cái)季實(shí)現(xiàn)了93%的收入同比增長(zhǎng)。NAND收入記錄是由數(shù)據(jù)中心SSD銷售所引領(lǐng)，季度收入首次超過(guò)10億美元。以美光歷史上最佳的競(jìng)爭(zhēng)定位進(jìn)入2025財(cái)年，預(yù)計(jì)美光第一季度收入將創(chuàng)下歷史新高，2025財(cái)年的盈利能力將大幅提高，收入將創(chuàng)紀(jì)錄。
3.兆易創(chuàng)新公布GD32A7系列全新一代車規(guī)級(jí)MCU
兆易創(chuàng)新在25日宣布，重磅推出全新一代車規(guī)級(jí)MCU GD32A7系列。與上一代采用Arm Cortex-M4/M33的產(chǎn)品相比，GD32A7系列搭載了超高性能Arm Cortex-M7內(nèi)核，提供GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x等多款型號(hào)供用戶選擇。
GD32A71x/GD32A72x/GD32A74x系列車規(guī)級(jí)MCU分別支持單核、雙核、單核鎖步三種選項(xiàng)，主頻160MHz，算力高達(dá)763 DMIPS，并配備了最高4MB片上Flash和512KB SRAM，支持雙Flash BANK，可滿足無(wú)縫OTA升級(jí)需求。芯片采用2.97-5.5V寬電壓供電，能在-40℃~+125℃的工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運(yùn)行，符合AEC-Q100 Grade1標(biāo)準(zhǔn)，工作壽命15年以上，為系統(tǒng)安全穩(wěn)定運(yùn)行筑牢硬件根基。
為滿足多樣化的車身、互聯(lián)和底盤應(yīng)用的需求，該系列產(chǎn)品集成了豐富的外設(shè)接口，包含6路SENT接口；8路CAN FD，12路LIN多路高速車用總線接口；以及支持AVB和TSN的1x10/100Mbps以太網(wǎng)接口；此外，還提供8路SPI、1路Quad SPI、2路I2C等接口。
4.思瑞浦推出17通道高精度電池管理產(chǎn)品TPB76016
思瑞浦3PEAK日前全新推出17通道高精度電池管理產(chǎn)品TPB76016，內(nèi)置高精度基準(zhǔn)，工作溫度支持-40℃to+125℃，可廣泛應(yīng)用于動(dòng)力電池、儲(chǔ)能電池、以及其他消費(fèi)類電池的BMS控制板。
TPB76016具有集成電壓、電流、溫度在內(nèi)的多個(gè)保護(hù)功能，支持使用內(nèi)部溫度傳感器和多達(dá)4個(gè)外部熱敏電阻進(jìn)行溫度檢測(cè)，集成可編程存儲(chǔ)器供使用，集成二級(jí)化學(xué)熔斷器驅(qū)動(dòng)保護(hù)，內(nèi)置均衡MOS，同時(shí)支持外接均衡管均衡，以及1Mbps SPI通信接口等特性。
5.SK海力士率先量產(chǎn)12層堆疊HBM3E
SK海力士在26日宣布，全球率先開始量產(chǎn)12層HBM3E，實(shí)現(xiàn)了現(xiàn)有HBM1產(chǎn)品中最大2的36GB容量。公司將在年內(nèi)向客戶提供此次產(chǎn)品，繼今年3月全球率先向客戶供應(yīng)8層HBM3E后，僅時(shí)隔6個(gè)月再次展現(xiàn)出其壓倒性的技術(shù)實(shí)力。
公司還堆疊12顆3GB DRAM芯片，實(shí)現(xiàn)與現(xiàn)有的8層產(chǎn)品相同的厚度，同時(shí)容量提升50%。為此，公司將單個(gè)DRAM芯片制造得比以前薄40%，并采用硅通孔技術(shù)（TSV）技術(shù)垂直堆疊。
SK海力士也解決了在將變薄的芯片堆疊更多時(shí)產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)性問(wèn)題。公司將其核心技術(shù)先進(jìn)MR-MUF5工藝應(yīng)用到此次產(chǎn)品中，放熱性能較前一代提升了10%，并增強(qiáng)了控制翹曲問(wèn)題，從而確保了穩(wěn)定性和可靠性。
6.英飛凌擴(kuò)展OptiMOS 6 MOSFET產(chǎn)品組合
英飛凌通過(guò)新的135 V和150 V產(chǎn)品系列，擴(kuò)展了其OptiMOS 6 MOSFET產(chǎn)品組合。這些器件旨在滿足驅(qū)動(dòng)器和開關(guān)模式電源（SMPS）應(yīng)用的要求，并補(bǔ)充最近發(fā)布的OptiMOS 6 120 V MOSFET。
與上一代（OptiMOS 5 150 V MOSFET）相比，新系列的導(dǎo)通電阻R DS（on）降低了50%，而FOM g降低了20%。憑借極低的R DS（on）、改進(jìn)的開關(guān)性能和出色的EMI性能，這兩個(gè)新系列都提供了無(wú)與倫比的效率、功率密度和可靠性。更快、更柔軟的體二極管可降低高達(dá)59%的Q rr，減少過(guò)沖和振鈴。
OptiMOS 6 135 V和150 V MOSFET有各種封裝可供選擇，包括TO-220、D 2PAK 3針、D 2PAK7針、TOLL、TOLG、TOLT、SuperSO8 5x6和PQFN 3.3x3.3。
7.ST公布第四代SiC MOSFET技術(shù)平臺(tái)，面向電動(dòng)車牽引逆變器
意法半導(dǎo)體（ST）日前宣布，正在推出其第四代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。第四代技術(shù)在能效、功率密度和魯棒性方面帶來(lái)了新的基準(zhǔn)。在滿足汽車和工業(yè)市場(chǎng)需求的同時(shí)，新技術(shù)特別針對(duì)牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化，牽引逆變器是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的關(guān)鍵部件。作為對(duì)創(chuàng)新的承諾，ST計(jì)劃在2027年之前引入更先進(jìn)的SiC技術(shù)創(chuàng)新。
ST已完成第四代SiC技術(shù)平臺(tái)750V級(jí)的資格認(rèn)證，預(yù)計(jì)將于2025年第一季度完成1200V級(jí)的資質(zhì)認(rèn)證。標(biāo)稱額定電壓為750V和1200V的設(shè)備將投入商業(yè)使用，使設(shè)計(jì)人員能夠解決從標(biāo)準(zhǔn)交流線電壓到高壓電動(dòng)汽車電池和充電器的應(yīng)用。
8.創(chuàng)意電子3納米HBM3E內(nèi)存控制器與PHY IP獲得應(yīng)用
據(jù)IT之家消息，創(chuàng)意電子GUC宣布其3nm工藝HBM3E內(nèi)存控制器與PHY IP已獲業(yè)界重要CSP云服務(wù)提供商和多家HPC解決方案供應(yīng)商采用，該ASIC預(yù)計(jì)將于今年流片，支持9.2Gbps HBM3E內(nèi)存。創(chuàng)意電子是重要ASIC設(shè)計(jì)服務(wù)廠商之一，其最大股東（持股35%）和唯一晶圓代工廠商皆是臺(tái)積電。
創(chuàng)意電子的HBM3E IP已通過(guò)臺(tái)積電N7/N6、N5/N4P、N3E/N3P制程的驗(yàn)證，與所有主流HBM3廠商產(chǎn)品兼容，且在CoWoS-S及CoWoS-R封裝上都進(jìn)行了流片驗(yàn)證。除HBM3E以外，創(chuàng)意電子也積極與美光等HBM內(nèi)存供應(yīng)商合作，為下一代AI ASIC開發(fā)HBM4 IP。